BC846BWT1G ONS
Symbol Micros:
TBC846bw ONS
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BWT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4670 | 0,2140 | 0,1170 | 0,0872 | 0,0778 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1578000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0778 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0778 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0778 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |