BC846PN
Symbol Micros:
TBC846pn
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 450; 250mW; 65V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846PNH6327; BC846PNH6327XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5720 | 0,2630 | 0,1430 | 0,1070 | 0,0954 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2885 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2885+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5700 | 0,2610 | 0,1420 | 0,1060 | 0,0950 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
429210 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1812 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1947 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |