BC847B HOTTECH

Symbol Micros: TBC847b HOT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BC847B-DIO;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: HOTTECH Symbol producenta: BC847B 1F RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
3000/21000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta