BC847B SOT23 LGE

Symbol Micros: TBC847B LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2360 0,0884 0,0473 0,0353 0,0326
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN