BC847BLT1G

Symbol Micros: TBC847blt1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 225mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BLT3G; BC847BLT1G; BC847B-DIO; BC847B-NXP; BC847B.215; BC847B.235; BC847B-7-F;
Parametry
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC847BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9558 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1500 0,0875 0,0640 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC847BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1992 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1500 0,0875 0,0640 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1992
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC847BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
33149 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC847BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1485000 szt.
ilość szt. 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN