BC847BPDW1T1G ONS
Symbol Micros:
TBC847bpdw
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 475; 380mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BPDW1T2G; BC847BPDW1T3G;
Parametry
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BPDW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BPDW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
2781000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BPDW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
414000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BPDW1T3G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
130000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1190 |
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |