BC847BS

Symbol Micros: TBC847BS YY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor PNP/NPN; Bipolar; 45V; 200MHz; 100mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; BC847BS-YAN;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: YY
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: YY Symbol producenta: BC847BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4630 0,1830 0,1070 0,0780 0,0713
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: YY Symbol producenta: BC847BS-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4630 0,1830 0,1070 0,0780 0,0713
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-05-20
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: YY
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta