BC847BTT1G
Symbol Micros:
TBC847bt
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BTT1G RoHS
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5180 | 0,2380 | 0,1290 | 0,0967 | 0,0863 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC847BTT1G
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
258000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0863 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |