BC847BV,115
Symbol Micros:
TBC847bv
Obudowa: SOT-666
Tranzystor 2xNPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BV,115; BC847BV,315; BC847BVN,115;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT-666 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC847BV RoHS
Obudowa dokładna: SOT-666
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4000 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6270 | 0,2500 | 0,1450 | 0,1210 | 0,1140 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BV,115
Obudowa dokładna: SOT-666
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2355 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BV,115
Obudowa dokładna: SOT-666
Magazyn zewnetrzny:
16001 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2403 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BV,315
Obudowa dokładna: SOT-666
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. | 8000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2373 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT-666 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | 2xNPN |