BC847C

Symbol Micros: TBC847c c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: KINGTRONICS Symbol producenta: BC847C RoHS ..1G Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
16324 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0865 0,0463 0,0346 0,0319
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Producent: KEXIN Symbol producenta: BC847C RoHS 1G. Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0865 0,0463 0,0346 0,0319
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-30
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN