BC847PNH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBC847pn
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847PNH6433XTMA1; BC847PNH6727XTSA1; BC847PNH6327XTSA1; SP000747288; SP000747296; SP000747292; LTB:31-DEC-2023 ; LTS:31-DEC-2024; NEW -> ..
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1793 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1826 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |