BC847PN-7-F
Symbol Micros:
TBC847PN-7-F Diodes
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 450/475; 200mW; 45V; 100mA; 300/200MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BC847PN-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7100 | 0,3370 | 0,1900 | 0,1440 | 0,1290 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BC847PN-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
6600000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1290 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BC847PN-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1290 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |