BC847PN-TP SOT363 MCC

Symbol Micros: TBC847PN-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN/PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC847PN-TP-HF;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: BC847PN-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9740 0,4620 0,2600 0,1980 0,1770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta