BC847SH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBC847sh
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847SH6327; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6433XTMA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847SH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,5270 | 0,3500 | 0,2920 | 0,2720 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
3753000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2720 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC847SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2720 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |