BC848BLT1G
Symbol Micros:
TBC848b
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE6327; BC848BLT3G; BC848B-CDI;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4130 | 0,1630 | 0,0952 | 0,0696 | 0,0636 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3760 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4130 | 0,1630 | 0,0952 | 0,0696 | 0,0636 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0636 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0636 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |