BC848BWT1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TBC848bw ONS
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BWT1G RoHS 1K
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8640 | 0,3750 | 0,2450 | 0,2040 | 0,1920 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1920 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC848BWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1920 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |