BC848C smd

Symbol Micros: TBC848c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC848CLT1G; BC848CE6327HTSA1; BC848CE6433HTMA1; BC848C RF; BC848CMTF; BC848C-7-F; BC848C-DIO; BC848CE6433;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC848CLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1603999 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0449
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC848CLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
600000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0471
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN