BC849B SOT23 DIOTEC

Symbol Micros: TBC849b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik; BC849B,215; BC849B,235; BC849BLT1G; BC849B-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC849B RoHS ..1F Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2980 0,1150 0,0559 0,0445 0,0425
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC849BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0494
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC849B,235 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0524
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC849BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0494
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN