BC849B SOT23 DIOTEC
Symbol Micros:
TBC849b
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik; BC849B,215; BC849B,235; BC849BLT1G; BC849B-DIO;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | DIOTEC |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC849B RoHS ..1F
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2980 | 0,1150 | 0,0559 | 0,0445 | 0,0425 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0494 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC849B,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0524 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0494 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | DIOTEC |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |