BC849CLT1G
Symbol Micros:
TBC849c ONS
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849CLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3880 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3890 | 0,1530 | 0,0895 | 0,0655 | 0,0598 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
843000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0598 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0598 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC849CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0598 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |