BC850BLT1 smd ONS
Symbol Micros:
TBC850blt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850B; BC850; BC850BLT1; BC850BE6327HTSA1; BC850B-DIO; BC850B.215;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC850BLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
29500 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3440 | 0,1330 | 0,0648 | 0,0515 | 0,0492 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC850BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0625 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |