BC850C
Symbol Micros:
TBC850c DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC850C-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 520 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC850C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3460 | 0,1360 | 0,0796 | 0,0582 | 0,0532 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 520 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |