BC850C,215
Symbol Micros:
TBC850c NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC850C,235; BC850C,215; BC850C.215;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC850C,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4600 | 0,2110 | 0,1150 | 0,0858 | 0,0766 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC850C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0766 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC850C,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0766 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC850C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0766 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |