BC856 SOT23
Symbol Micros:
TBC856
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846; BC856,215; BC856-CDI; BC856.215;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC856,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
580 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2870 | 0,1110 | 0,0540 | 0,0429 | 0,0410 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
645000 szt.
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0410 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
966000 szt.
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0410 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC856,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
144000 szt.
ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0410 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |