BC856BDWT1G
Symbol Micros:
TBC856BDW1
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xPNP; 475; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BDW1T3G;
Parametry
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC856BDW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6770 | 0,3210 | 0,1810 | 0,1370 | 0,1230 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC856BDW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
621000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1230 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC856BDW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
2643000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1230 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC856BDW1T3G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
420000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1230 |
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |