BC856BS

Symbol Micros: TBC856bs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BS.115; BC856BS _R1 _00001; BC856BS_ R2 _00001; BC856BS,135; BC856BS-TP;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: NXP Symbol producenta: BC856BS RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5030 0,2310 0,1260 0,0940 0,0839
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP