BC856BS
Symbol Micros:
TBC856bs
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BS.115; BC856BS _R1 _00001; BC856BS_ R2 _00001; BC856BS,135; BC856BS-TP;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |
Opis szczegółowy
| Manufacturer | Nexperia USA Inc. | |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | |
| Power - Max | 300mW | |
| Frequency - Transition | 100MHz | |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount |