BC856C
Symbol Micros:
TBC856c DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC856C-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC856C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2800 | 0,1080 | 0,0527 | 0,0419 | 0,0400 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC856C
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0400 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |