BC857A HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC857a HXY
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 220 |
Producent: | HXY MOSFET |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 220 |
Producent: | HXY MOSFET |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |