BC857A HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC857a HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BC857A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1840 0,0670 0,0354 0,0265 0,0245
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP