BC857B

Symbol Micros: TBC857b c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: YFW Symbol producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Producent: KINGTRONICS Symbol producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000/135000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-11-30
Ilość szt.: 15000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-12-30
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP