BC857B
Symbol Micros:
TBC857b c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | HOTTECH |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: YFW
Symbol producenta: BC857B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
Producent: KINGTRONICS
Symbol producenta: BC857B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-11-30
Ilość szt.: 15000
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-12-30
Ilość szt.: 3000
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | HOTTECH |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |