BC857B CDIL

Symbol Micros: TBC857b cdil
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do BC847B; BC857B-YAN; BC857B-CDI;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: CDIL Symbol producenta: TBC857B (3F) RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3300 0,1270 0,0621 0,0494 0,0472
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP