BC857BDW1T1G
Symbol Micros:
TBC857bdw
Obudowa: SOT363 t/r
Tranzystor 2xPNP; 475; 380mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC857BDW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6600 | 0,3140 | 0,1760 | 0,1340 | 0,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC857BDW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC857BDW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Magazyn zewnetrzny:
294000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC857BDW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Magazyn zewnetrzny:
534000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1200 |
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |