BC857SH BC857SH6327/SN
Symbol Micros:
TBC857sh
Obudowa: SOT363
Tranzystor PNP; 630; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6433;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC857SH6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7480 | 0,3550 | 0,2000 | 0,1520 | 0,1360 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC857SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
903000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1985 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC857SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1935 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |