BC858B
Symbol Micros:
TBC858B c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858B-CDI;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ARK |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BC858B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
18000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1690 | 0,0618 | 0,0327 | 0,0244 | 0,0226 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-30
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | ARK |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |