BC858CLT1G

Name: TBC858c ONS TBC858c ONS
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBC858cONS
Price: 0.046800 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC858c ONS

Obudowa: SOT23-3

Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G;

Parametry

Moc strat:	300mW
Częstotliwość graniczna:	100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	30V

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC858CLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

2000 szt.

ilość szt.	10+	50+	400+	3000+	12000+
cena netto (PLN)	0,3280	0,1260	0,0616	0,0490	0,0468

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC858CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3

Magazyn zewnetrzny:

138000 szt.

ilość szt.	12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,0483

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC858CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3

Magazyn zewnetrzny:

54000 szt.

ilość szt.	12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,0483

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC858CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3

Magazyn zewnetrzny:

429000 szt.

ilość szt.	12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,0531

Moc strat:	300mW
Częstotliwość graniczna:	100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	30V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP

Ilość szt.	20+	100+	500+	3000+	15000+
cena netto (PLN)	0,2170	0,0811	0,0434	0,0324	0,0299

Ilość szt.	20+	100+	500+	3000+	15000+
cena netto (PLN)	0,2680	0,1000	0,0536	0,0400	0,0369