BC859C DIOTEC
Symbol Micros:
TBC859c DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC859C-DIO
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC859C
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0325 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |