BC860C smd

Symbol Micros: TBC860c

Obudowa: SOT23

Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;

Parametry

Moc strat:	250mW
Częstotliwość graniczna:	100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Producent:	LGE
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V

Producent: import Symbol producenta: BC860C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

180 szt.

ilość szt.	10+	50+	200+	1000+	3000+
cena netto (PLN)	0,3750	0,1480	0,0863	0,0632	0,0577

Moc strat:	250mW
Częstotliwość graniczna:	100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Producent:	LGE
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP

Ilość szt.	12000+
cena netto (PLN)	0,0520

Ilość szt.	12000+
cena netto (PLN)	0,0521

Ilość szt.	12000+
cena netto (PLN)	0,0540