BC860C smd
Symbol Micros:
TBC860c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: import
Symbol producenta: BC860C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
180 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3570 | 0,1420 | 0,0709 | 0,0565 | 0,0549 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-03-30
Ilość szt.: 6000
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |