BC860C smd
Symbol Micros:
TBC860c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: import
Symbol producenta: BC860C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3750 | 0,1480 | 0,0863 | 0,0632 | 0,0577 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-10
Ilość szt.: 6000
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |