BC860C smd

Symbol Micros: TBC860c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: import Symbol producenta: BC860C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3750 0,1480 0,0863 0,0632 0,0577
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-10
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP