BC868-25

Symbol Micros: TBC868-25
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC868-25,115;
Parametry
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: LGE Symbol producenta: BC868-25 RoHS CDC Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6890 0,4520 0,3910 0,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-08-30
Ilość szt.: 2000
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN