BC868

Symbol Micros: TBC868 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NPN 1000mA 20V 500mW 40MHz
Parametry
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: LGE Symbol producenta: BC868 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5160 0,3080 0,2550 0,2290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta