BCM857BS-7-F DIODES INC.

Symbol Micros: TBCM857BS-7-F Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xPNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCM857BS-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8200 0,3890 0,2190 0,1660 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCM857BS-7-F Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCM857BS-7-F Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCM857BS-7-F Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
291000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP