BCM857BS-7-F DIODES INC.
Symbol Micros:
TBCM857BS-7-F Diodes
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xPNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT363 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCM857BS-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8200 | 0,3890 | 0,2190 | 0,1660 | 0,1490 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCM857BS-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1490 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCM857BS-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1490 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCM857BS-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
291000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1490 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT363 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | 2xPNP |