BCP5516TA

Symbol Micros: TBCP5516 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5516TA; BCP55-16TA;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5516TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,4080 0,2540 0,2170 0,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta