BCP55-16

Symbol Micros: TBCP5516 Diotec
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BCP55-16-DIO;
Parametry
Moc strat: 1,3W
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BCP55-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
4000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6220 0,4080 0,3530 0,3250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Moc strat: 1,3W
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN