BCP56 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBCP56 HXY
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
Parametry
| Moc strat: | 1,5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Moc strat: | 1,5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BCP56 JGSEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,33W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BCP56 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9300 | 0,3720 | 0,2160 | 0,1800 | 0,1690 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)