BCP5616TA
Symbol Micros:
TBCP5616 DIO
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
Moc strat: | 2W |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
640 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9680 | 0,4850 | 0,2890 | 0,2390 | 0,2150 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1016000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2150 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3050000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2150 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2321 |
Moc strat: | 2W |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |