BCP5616TA
Symbol Micros:
TBCP5616 DIO
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | DIODES |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | DIODES |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |