BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
640 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9680 0,4850 0,2890 0,2390 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
1016000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
3050000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2321
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN