BCP56TA DIODES

Symbol Micros: TBCP56TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP56TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
870 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8320 0,3330 0,1930 0,1610 0,1510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta