BCR08PNH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR08pn
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR08PNH6327XTSA1; BCR08PNH6433XTMA1; BCR08PNH6727XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR08PNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5940 | 0,2820 | 0,1590 | 0,1210 | 0,1080 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR08PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2045 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR08PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2105 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |