BCR108W
Symbol Micros:
TBCR108w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 70; 250mW; 50V; 100mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR108WH6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR108W E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3330 | 0,1280 | 0,0627 | 0,0498 | 0,0476 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR108WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1296 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR108WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1526 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |