BCR108W

Symbol Micros: TBCR108w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 70; 250mW; 50V; 100mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR108WH6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR108W E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3330 0,1280 0,0627 0,0498 0,0476
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR108WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1296
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR108WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1526
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN