BCR10PN Infineon Tech
Symbol Micros:
TBCR10pn
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR10PNH6327;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR10PNH6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR10PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2045 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR10PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2087 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |