BCR112
Symbol Micros:
TBCR112
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 20; 200mW; 50V; 100mA; 140MHz; -65°C ~ 150°C; BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 140MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR112E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
22740 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7650 | 0,3630 | 0,2040 | 0,1550 | 0,1390 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR112E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1390 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR112E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
31500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1390 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 140MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |