BCR112WH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR112w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 20; 250mW; 50V; 100mA; 140MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR112WH6327XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 140MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR 112W H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2350 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4500 | 0,1780 | 0,1040 | 0,0759 | 0,0693 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR112WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1487 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 140MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |