BCR116
Symbol Micros:
TBCR116
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR116E6327; BCR116WH6327; BCR116E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR116E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1077 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR116E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1099 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR116E6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1222 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |