BCR133WH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR133w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 30; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR133WH6327XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR 133W H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2730 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4360 | 0,1720 | 0,1000 | 0,0734 | 0,0671 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1298 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
19500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1526 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |